場(chǎng)應(yīng)管偶次諧波豐厚，聽(tīng)感頗有電子管的風(fēng)味。而且其輸出功率相比電子管能夠做得很大，且本錢(qián)不高，所以前級(jí)配場(chǎng)效應(yīng)管功放，在發(fā)燒圈內(nèi)很流行。 本電路輸入局部較為簡(jiǎn)沾。采用一對(duì)性能指標(biāo)完整分歧的音頻低噪聲管C1815組成差分放大電路。由負(fù)載輸出端的33kΩ電阻和1kΩ電阻經(jīng)分壓反應(yīng)到BG2的基極，自動(dòng)均衡輸出管的工作電壓，省去調(diào)整中點(diǎn)電壓的費(fèi)事，實(shí)測(cè)<50mV。
BG3是一級(jí)恒流源，以改善差分放大電路的共模抑止比。其基極電位是由發(fā)光二極管提供，性能和信噪比優(yōu)于穩(wěn)壓二極管，使BG3的基極電位控制在1.8V左右。工作時(shí)，該管還可起到指示燈的作用。BG5是另一級(jí)恒流源，使BG4的電壓增益有較大進(jìn)步。
BG6、BG7、BG8為中功率電壓放大推進(jìn)管。其中BG6起到調(diào)整整機(jī)靜態(tài)電流的作用，調(diào)整元件只要帶鎖緊螺栓的VR一個(gè)。調(diào)試前，該可調(diào)電阻置于中間位置，用1A直流電流表串接在正電源和二只功率管的D極，微調(diào)VR，阻值大則電流大，普通調(diào)整在200mA左右，并鎖緊可調(diào)電阻。由于場(chǎng)效應(yīng)管的負(fù)溫度特性，靜態(tài)電流會(huì)自動(dòng)減流。但不會(huì)影響整機(jī)的正常工作。8只場(chǎng)敏應(yīng)管應(yīng)盡最配對(duì)分歧，這樣可避免某管發(fā)熱最大的情況。K85l、K854等場(chǎng)效應(yīng)管拆機(jī)品價(jià)錢(qián)非常低廉，性能穩(wěn)定，音質(zhì)表現(xiàn)較好。
本機(jī)耦合電容器儀有輸入端每聲道一個(gè)，一定要采用CBB無(wú)感電容。筆者經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)。任何電解電容（包括極品），由于存在一定的漏電率。卷繞電感和轉(zhuǎn)換速率低等缺陷，在大音狀態(tài)下都不能勝任。聲音聽(tīng)感欠佳。
電源采用100W以上變壓器。次級(jí)交流電壓為2x26V或2x28V。整流橋電流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速電解電容作濾波。并且并聯(lián)上lμFCBB電容作高頻退耦。
揚(yáng)聲器維護(hù)電路裝置完成后，可實(shí)驗(yàn)一下能否正常，辦法是單獨(dú)接通維護(hù)器電源，兒秒鐘內(nèi)繼電器J虛吸合。在10kΩ電阻上端與地接1.5V干電池。繼電器又馬上斷開(kāi)。標(biāo)明工作正常。 輸入端電他器中心點(diǎn)接頭，由R、C和K組成超低音提升電路。小音最時(shí)按下開(kāi)關(guān)后，低音得到明顯提升，覺(jué)得聲浪陣陣而來(lái)，效果確實(shí)不錯(cuò)。
優(yōu)點(diǎn)：
1、MOS 管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。
2、中音厚，沒(méi)有三極管那么大的交越失真。
電流推進(jìn)級(jí)通常由一至二級(jí)組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級(jí)電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級(jí)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級(jí)的靜態(tài)電流，這樣本級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級(jí)一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級(jí)也一直處于放大區(qū)，因而輸出級(jí)同樣不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。
3、MOS管的線性比晶體管好。
缺點(diǎn)：
1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無(wú)法外電路維護(hù)），開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專(zhuān)利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場(chǎng)上取得了認(rèn)可，并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。
2、開(kāi)啟電壓太高。
3、偏流開(kāi)很大，還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。
4、MOS管不好配對(duì)在同一批次管，相對(duì)來(lái)說(shuō)要好配對(duì)一點(diǎn)。
5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。
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