无码人妻一区二区三区色欲av,日韩av无码一区二区三区不卡,国产人妻人伦精品无码.麻豆,无套无码孕妇啪啪

uGS<開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS根本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示。

uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導(dǎo)通區(qū)，漏源電流iDS=UDD/（RD+rDS）。其中，rDS為MOS管導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），假如rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態(tài)，其等效電路如上圖（c）所示。

二、動態(tài)特性 

MOS管在導(dǎo)通與截止兩種狀態(tài)發(fā)作轉(zhuǎn)換時(shí)同樣存在過渡過程，但其動態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的雜散電容充、放電所需的時(shí)間，而管子自身導(dǎo)通和截止時(shí)電荷積聚和消散的時(shí)間是很小的。下圖 （a）和（b）分別給出了一個(gè)NMOS管組成的電路及其動態(tài)特性表示圖。

NMOS管動態(tài)特性表示圖

當(dāng)輸入電壓ui由高變低，MOS管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，電源UDD經(jīng)過RD向雜散電容CL充電，充電時(shí)間常數(shù)τ1=RDCL.所以，輸出電壓uo要經(jīng)過一定延時(shí)才由低電平變?yōu)楦唠娖?；?dāng)輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，雜散電容CL上的電荷經(jīng)過rDS停止放電，其放電時(shí)間常數(shù)τ2≈rDSCL.可見，輸出電壓Uo也要經(jīng)過一定延時(shí)才干轉(zhuǎn)變成低電平。但由于rDS比RD小得多，所以，由截止到導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換時(shí)間比由導(dǎo)通到截止的轉(zhuǎn)換時(shí)間要短。

由于MOS管導(dǎo)通時(shí)的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時(shí)間較長，使MOS管的開關(guān)速度比晶體三極管的開關(guān)速度低。不過，在CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低阻電路，因而，其充、放電過程都比擬快，從而使CMOS電路有較高的開關(guān)速度。
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管,MOS管，20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹