背景技術(shù)：如圖所示，為現(xiàn)有技術(shù)電門(mén)鎖啟動(dòng)電路原理圖，通過(guò)Acc out鎖頭信號(hào)輸出端給三極管Q2 b極一個(gè)高電平，使Q2導(dǎo)通；再通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)電路中R7和R8分壓使Vgs產(chǎn)生約為1/4Vcc的壓差,Vgs最大不大于25V；再通過(guò)C8電容充放電，控制Vgs上升沿，實(shí)現(xiàn)P-MOS導(dǎo)通；Vgs上升沿時(shí)間越長(zhǎng)，P-MOS導(dǎo)通的時(shí)間越長(zhǎng)，通過(guò)延長(zhǎng)P-MOS的導(dǎo)通時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)導(dǎo)通內(nèi)阻的控制，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)P-MOS管的導(dǎo)通電流的控制。
控制電路中C8電容的充放電會(huì)增加Vgs的結(jié)電容，導(dǎo)致Vgs上升沿時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，將導(dǎo)通速度降低，導(dǎo)通內(nèi)阻會(huì)增大，存在p-MOS管的結(jié)溫Tj瞬間上升，無(wú)法短時(shí)間散發(fā)從而造成P-MOS內(nèi)部芯片擊穿。P-MOS管G、S短路。由于采用上述控制電路，電門(mén)鎖開(kāi)啟的瞬間對(duì)電門(mén)鎖電路容性、感性負(fù)載充電，P-MOS峰值電流在VCC＝48V時(shí)，IDMAX約大于80A,TD持續(xù)時(shí)間約20US，電路存在起火的隱患。
有一點(diǎn)提醒一下蓄電池供電電壓的不同，電動(dòng)車系統(tǒng)使用MOSFET管數(shù)也有不相同，同時(shí)封裝形式也有所不同，電動(dòng)車MOS管耐壓選型，工程師在選參數(shù)時(shí)有什么問(wèn)題可聯(lián)系技術(shù)員哦！
電動(dòng)車報(bào)警器MOS管選型
Part Number ID(A) BVDSS Typical RDS(ON) Max RDS(ON) Package
23P10A -23 -100 0.078 0.95 TO-252
35P10A -35 -100 0.042 0.055 TO-252
電動(dòng)車充電器MOS管方案選型
可推薦使用：開(kāi)關(guān)管Q可選用的高壓MOSFET，主要為8N60、10N60、12N60、15N60、20N60等大功率產(chǎn)品等；
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