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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • 二極管規(guī)格書(shū)中的常用性能參數(shù)與中英文說(shuō)明
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-24 17:07:42
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    二極管規(guī)格書(shū)中的常用性能參數(shù)與中英文說(shuō)明
    二極管是最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件,也是大多數(shù)電子產(chǎn)品BOM清單中的基礎(chǔ)元器件之一。雖然購(gòu)買(mǎi)二極管之前,用戶(hù)已經(jīng)知道這些二極管的具體用法,閱讀廠(chǎng)商提供的二極管數(shù)據(jù)表,可以了解更多的二極管參數(shù)和應(yīng)用信息,讓自己的設(shè)計(jì)方案更完美。
    但是,目前市場(chǎng)上的半導(dǎo)體器件,無(wú)論是集成電路芯片,還是二極管、三極管、MOS管,廠(chǎng)家所提供的數(shù)據(jù)表(datasheet)全部是英文。以下列出了一些常見(jiàn)的二極管參數(shù),依次為參數(shù)、英文說(shuō)明、中文說(shuō)明:
    二極管規(guī)格書(shū)
    αVF:Temperature coefficient of forward voltage,正向壓降的溫度系數(shù)    
    Cj:Junction Capacitance,結(jié)電容  
    ηV:Rectification Efficiency,整流效率
    dv/dt:critical rate of rise of off-state voltage,斷態(tài)電壓臨界上升率 
    di/dt:critical rate of rise of on-state current,通態(tài)電流臨界上升率  
    I(AV):Average Forward Rectified Current,正向平均整流電流    
    ID:Stand-off Reverse Leakage Current,關(guān)態(tài)反向漏電流  
    IFSM:Peak Forward Surge Current,正向浪涌峰值電流  
    IF(AV):foreard current,正向平均電流(整流管)
    If:DC Forward Current,正向直流電流 
    IGT:gate trigger current,門(mén)極觸發(fā)電流 
    ITSM:Non Repetitive Surge Peak on-state Current,不重復(fù)浪涌峰值開(kāi)態(tài)電流 
    IDM:Maximum Reverse Leakage,最大反向漏電流  
    IDRM:repetitive peak of-state current,斷態(tài)重復(fù)峰值電流
    IFM:peak forward current (of diode),正向峰值電流(整流管)  
    IFRM:Repetitive Peak Forward Current,正向重復(fù)峰值電流  
    IH:Holding Current,維持電流  
    IO:Mean Forward Current,正向平均電流  
    IR:Reverse Leakage Current,反向漏電流  
    Irr:Reverse Recovery Current,反向恢復(fù)電流  
    IPPM:Maximum peak lmpulse Current,最大脈沖峰值電流  
    IRM:Maximum peak Reverse Current,最大峰值反向電流  
    IRM(REC):Maximum peak Reverse recovery Current,最大峰值反向恢復(fù)電流 
    IRMS:R.M.S. on-state current,通態(tài)方均根電流   
    IRRM:repetitive peak reverse current,反向重復(fù)峰值電流 
    IRSM:Maximum Non-repetitive recovery Peak Current,最大峰值反向恢復(fù)電流 
    IT:On-state Test Current,導(dǎo)通測(cè)試電流 
    IT(AV):on-state current,通態(tài)平均電流  
    ITM:peak on-state current,通態(tài)峰值電流 
    ITSM:surge on-state current,通態(tài)浪涌電流 
    PD:Power Dissipation,功功率損耗
    PM(AV):Maximum Steady State Power Dissipation,最大穩(wěn)態(tài)功耗  
    PPM:Peak Pulse Power Dissipation,峰值脈沖功耗  
    Ptot:Total Power Dissipation,總功耗 
    Qrr:reverse recovery charge,反向恢復(fù)電荷  
    Rjc:junction-case thermal resistance,結(jié)殼熱阻 
    ROJA:Thermal Resistance (Junction to Ambient),熱阻(結(jié)到環(huán)境)  
    ROJC:Thermal Resistance(Junction to Case ),熱阻(結(jié)到管殼)  
    ROJL:Thermal Resistance(Junction to Lead ),熱阻(結(jié)到引線(xiàn)) 
    二極管規(guī)格書(shū)
    TA:Ambient Temperature,環(huán)境溫度  
    TC:Case Temperature,管殼溫度  
    td:Time Duration,持續(xù)時(shí)間  
    tf:Fall Time,下降時(shí)間  
    tfr:Forward Recovery Time,正向恢復(fù)時(shí)間  
    tgt:gate controlled turn-on time,門(mén)極控制開(kāi)通時(shí)間 
    Tj:Junction Temperature,結(jié)溫 
    Tjm:maximum virtual junction temperature,最高等效結(jié)溫 
    TL:Lead Temperature,引線(xiàn)溫度
    ton:turn on time,開(kāi)通時(shí)間
    tq:cricuit commutated turn-off time,電路換向關(guān)斷時(shí)間      
    tr:Rise Time,上升時(shí)間  
    trr:reverse recovery time (of diode) ,(二極管的)反向恢復(fù)時(shí)間 
    ts:storage time,存儲(chǔ)時(shí)間   
    TSTG: Storage Temperature,存儲(chǔ)溫度 
    VBO:Breakover Voltage,轉(zhuǎn)折電壓  
    V(BR):Reverse Breakdown Voltage,反向擊穿電壓  
    VDC,VR DC Reverse Voltage,反向直流電流
    VDSM:non-repetitive peak off-state voltage,斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓 
    VDRM:repetitive peak off-state voltage,斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 
    VF:Instantaneous Forward Voltage,正向瞬態(tài)電壓  
    VFM:peak forward voltage (of diode),正向峰值電壓(整流管) 
    VFR:Forward Recovery Voltage,正向恢復(fù)電壓 
    VGT:gate trigger voltage,門(mén)極觸發(fā)電壓 
    VRM:Maximum Reverse Paek Reverse Voltage,最大重復(fù)峰值反向電壓 
    VRMS:RMS Input Voltage,均方根輸入電壓  
    VRRM:Peak Repetitive Reverse Voltage,反向重復(fù)峰值電壓  
    VRSM:non-repetitive peak reverse voltage,反向不重復(fù)峰值電壓
    VTM:peak on-state voltage,通態(tài)峰值電壓 
    VWM:Working Peak Reverse Voltage,反向工作峰值電壓  
    VC:Clamping Voltage,箝位電壓  
    VWM:Working Stand-off Voltage,關(guān)態(tài)工作電壓  
    VZ:Zener Voltage,齊納電壓  
    ZZ:Dynamia Zener Impedance,動(dòng)態(tài)齊納阻抗  
    以烜芯微科技生產(chǎn)的BZT52C18穩(wěn)壓二極管為例,該通用的中等電流貼片二極管采用SOD-123封裝,最大功耗(PD)為350mW,導(dǎo)通電壓(VF@IF=10mA)為0.9V,熱阻(ROJA)為357°C/W,結(jié)溫(TJ)為150°C,存儲(chǔ)溫度(TSTG)為-55~+150°C,其他參數(shù)用戶(hù)可以從數(shù)據(jù)表中的圖表及特性曲線(xiàn)查找。
    烜芯微專(zhuān)業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠(chǎng)直銷(xiāo)省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
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