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  • 片式電感的高頻應用知識
    • 發(fā)布時間:2020-08-17 18:23:55
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    片式電感的高頻應用知識
    引言
    隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,片式電感作為新型基礎(chǔ)無源器件,以其良好的性能價格比和便于高密度貼裝等顯著優(yōu)點,迅速得到了廣泛應用,尤其在以移動手機為代表的通信終端設備中,片式電感獲得了典型的高頻應用。由于RF電路的工作頻率不斷提升,片式電感在應用方面的性能特點發(fā)生了明顯變化,已經(jīng)開始顯現(xiàn)出低端微波頻段的工作特性。因此,為有效提升片式電感的電性參數(shù),改善RF電路性能,必須進一步分析其低頻特性與高頻特性的不同規(guī)律。
    另一方面,不斷推陳出新的通信系統(tǒng)(GSM、CDMA、PCS、3G…)使得片式電感的工作頻率逐步達到了2GHz甚至更高。因此,以傳統(tǒng)的集中參數(shù)電路理論對片式電感器件進行阻抗分析,則顯現(xiàn)出越來越明顯的局限性。探索適合高頻條件下的工程分析手段也已成為片式電感研發(fā)、生產(chǎn)、分析和應用的重要課題。
    阻抗分析
    電感的物理意義是利用導電線圈儲存交變磁場能量,而在實際電路應用中,電感器件的主要作用則是向電路提供所需的感性阻抗,在與其他相關(guān)元件配合下完成相應的電路功能(匹配、濾波、振蕩等)。常見的片式電感器件包括疊層片式、繞線片式、光刻薄膜等形式,其生產(chǎn)工藝和內(nèi)電極結(jié)構(gòu)均有所不同。但在中低頻率條件下,由于信號波長遠大于器件尺寸,器件的電路響應受內(nèi)電極結(jié)構(gòu)的影響較小,通常都可以采用集中參數(shù)等效模型(見圖一)對片式電感的阻抗特性予以近似分析。據(jù)此可推導出常用電性能參數(shù)的函數(shù)式。
    導納函數(shù)
    Y(j )=({1}over{R_{O}}+{r}over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{O}})+j( C_{O}-{ L_{O}}over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{o}})
    則阻抗函數(shù)
    Z(j )={1}over{Y(j )}=R( )+j ( )
    可近似導出阻抗
    Z( )=sqrt{R^{2}( )+ ^{2}( )}
    ={ L_{O}}oversqrt{({ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})^{2}}
    電感量
    L( )={ ( )}over{ }={L_{O}(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})}over{({{ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})^{2}}
    品質(zhì)因素
    Q( )={ ( )}over{R( )}={(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})}over{({ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{o}})}
    其中
    SRF={1}over{2 sqrt{L_{O}C_{O}}}
    =2 F
    由這些函數(shù)表達式不難歸納出:
    (1)在工作頻率低于自諧頻率SRF時,片式電感的阻抗特性非常接近理想電感而呈現(xiàn)較好的線性特性,品質(zhì)因素Q也較高,因此通常以此確定電感的額定工作頻段;
    (2)在電感量L0為額定值時,提高自諧頻率SRF的唯一方法是減小寄生電容C0;
    (3)在低頻工作區(qū),降低內(nèi)電極電阻r將有效提升品質(zhì)因素Q值,而在高頻工作區(qū),減小電磁漏損(增大R0)對Q值的提高則更為顯著;
    (4)當工作頻率 高于自諧頻率SRF時,片式電感呈現(xiàn)出容性阻抗特性。
    通常應用中,利用阻抗分析儀檢測片式電感端電極間的Z( )、L( )、Q( )等參數(shù),即可準確反映出工作頻率下實際電路的響應特性,據(jù)此可進行準確的電路設計與器件選擇。作為比較,圖2中列出相同規(guī)格的高頻電感(SGHI1608H100N)與鐵氧體電感(SGMI1608M100N)的L(f)、Q(f)參數(shù)曲線,顯然高頻電感有更高的自諧頻率和線性工作頻段,而鐵氧體電感則有較高的Q值。
    高頻分析
    當工作頻率較高(2GHz左右)時,信號波長逐漸可以與器件尺寸相比擬。片式電感的阻抗呈現(xiàn)出明顯的分布特性,即不同的參考位置存在不同阻抗。圖1所示的分析模型已不適合用以描述高頻工作的電感器件。在高頻條件下,器件的電路響應可隨其尺寸和空間結(jié)構(gòu)的不同而發(fā)生相應變化,常規(guī)的阻抗測量參數(shù)已不能準確反映實際電路中的響應特性。以某型號移動手機RF功放電路為例,其中兩款用于阻抗匹配的高頻電感(工作頻率1.9GHz)均采用光刻薄膜式電感,若以相同規(guī)格及精度,但Q值明顯較高的疊層片式電感(測量儀器HP-4291B)予以取代,其結(jié)果卻是電路傳輸增益下降近10%。說明電路匹配狀態(tài)下降,用低頻分析方法顯然無法準確解釋高頻應用問題,僅僅關(guān)注L( )和Q( )對片式電感的高頻分析是不適宜的,至少是不夠的。
    電磁場理論在工程中常用來分析具有分布特性的高頻應用問題。通常在利用阻抗分析儀(HP-4291B)對片式電感進行的測量中,可通過夾具補償和儀器校準等手段將測量精度提高到 0.1nH左右,理論上足以保證電路設計所需的精度要求。但不容忽視的問題是,此時的測量結(jié)果僅僅反映了匹配狀態(tài)下(測量夾具設計為精確匹配)電感器件端電極界面之間的參數(shù)性能,對電感器件的內(nèi)部電磁分布情況和外部電磁環(huán)境要求卻未能反映出來。相同測試參數(shù)的電感可能因內(nèi)電極結(jié)構(gòu)不同而存在完全不同的電磁分布狀態(tài),在高頻條件下,片式電感的實際電路應用環(huán)境(近似匹配、密集貼裝、PCB分布影響)與測試環(huán)境往往有差異,極易產(chǎn)生各種復雜的近場反射而發(fā)生實際響應參數(shù)(L、Q)的微量變化。對RF電路中的低感值電感,這種影響是不容忽視的,我們把這種影響稱之為“分布影響”。
    高頻電路(包括高速數(shù)字電路)設計中,基于電路性能、器件選擇和電磁兼容等因素的考慮,通常是以網(wǎng)絡散射分析(S參數(shù))、信號完整性分析、電磁仿真分析、電路仿真分析等手段,來綜合考量實際電路系統(tǒng)的工作性能。針對片式電感器件的“分布影響”問題,一個可行的解決方案是對電感器件進行結(jié)構(gòu)性電磁仿真并精確提取相應的SPICE電路模型參數(shù),作為電路設計的依據(jù),以此有效減小電感器件在高頻設計應用中的誤差影響。國外(日本)主要元器件企業(yè)的片式電感產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)大多包含有S參數(shù),通??捎糜诰_的高頻應用分析。
    電路應用
    在高頻電路中比較常用的片式電感有光刻薄膜電感、片式繞線電感和疊層片式電感三種。由于內(nèi)電極的結(jié)構(gòu)特點有明顯不同,即使參數(shù)規(guī)格相同情況下,其電路響應卻不盡相同。實際電路應用中對電感器件的選擇有一定規(guī)律和特點,在此可略作歸納如下:
    阻抗匹配:射頻電路(RF)通常由高放(LNA)、本振(LO)、混頻(MIX)、功放(PA)、濾波(BPF/LPF)等基本電路單元構(gòu)成。在特性阻抗各不相同的單元電路之間,高頻信號需要低損耗耦合傳輸,阻抗匹配成為必不可少。典型方案是利用電感與電容組合為“倒L”或“T”型匹配電路,對其中的片式電感,匹配性能的好壞很大程度是取決于電感量L的精確度,其次才是品質(zhì)因素Q的高低。在工作頻率較高時,往往使用光刻薄膜電感來確保高精度的L。其內(nèi)電極集中于同一層面,磁場分布集中,能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大。
    諧振放大:典型的高頻放大電路通常采用諧振回路作為輸出負載。對其增益和信噪比等主要性能參數(shù)來說,片式電感的品質(zhì)因素Q成為關(guān)鍵。L的少許誤差影響可由多種電路形式予以補償和修正,因而多采用繞線片式電感和疊層片式電感,對工作頻率下的Q值要求較高。而薄膜片式電感無論是價格還是性能在此都不適合。
    本地振蕩:本振電路(LO)必須由含振蕩回路的放大電路構(gòu)成,通常是以VCO-PLL的形式向RF電路提供精確的參考頻率,因此本振信號的質(zhì)量直接影響著電路系統(tǒng)的關(guān)鍵性能。振蕩回路中的電感必須具有極高的Q值和穩(wěn)定度,以確保本振信號的純凈、穩(wěn)定。由于石英晶體具有相對較寬的阻抗動態(tài)補償,此時對片式電感的L精度要求并不是首要指標,因此疊層片式電感和繞線片式電感多被用于VCO電路。
    高頻濾波:低通濾波(LPF)常見于高頻電路的供電去耦回路,有效抑制高次諧波在供電回路的傳導,額定電流和可靠性是首要關(guān)注參數(shù);而帶通濾波(BPF)則多用于高頻信號的耦合,或同時兼有阻抗匹配的作用。此時插入衰減要盡量小,L、Q是此時的重點參數(shù)。綜合比較,疊層片式電感最適合這種應用。
    結(jié)語
    片式電感的應用日趨高頻化,并且已接近低端微波頻段。以電磁分析手段取代傳統(tǒng)的低頻阻抗分析方法值得我們進一步探索和完善,以適應高頻條件下的片式電感研發(fā)、生產(chǎn)與應用分析的需要;RF電路日趨模塊化和集成化,片式電感的應用功能也隨之更為明確和集中。片式電感的研發(fā)與設計需要針對高頻應用的不同要求與特點,突顯器件性能個性化。探索片式電感的高頻應用和發(fā)展之路,這是我們所需關(guān)注和思考的新問題。
    片式電感
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