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    • 發(fā)布時間:2020-10-06 16:38:34
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    電路有很多二極管-您知道肖特基二極管作用嗎
    肖特基二極管
    肖特基二極管
    肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
    肖特基二極管
    1.肖特基二極管的原理
    肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動,從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場引起的電子漂移運(yùn)動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。
    肖特基二極管
    典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù),N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變??;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
    肖特基二極管
    綜上所述,肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管,而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世,這不僅可節(jié)省貴金屬,大幅度降低成本,還改善了參數(shù)的一致性。
    2.肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn):
    SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和超快速恢復(fù)二極管(UFRD)。
    肖特基二極管
    UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上,根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS,由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,從而使SMPS體積和重量增加,不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此,發(fā)展100V以上的高壓SBD,一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年,SBD已取得了突破性的進(jìn)展,150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市,使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功,從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。
    3.肖特基二極管的缺點(diǎn):
    肖特基二極管最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極管,其反向偏壓額定耐壓最高只到50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急速變大,實(shí)物設(shè)計上需注意其熱失控的隱患。為了避免上述的問題,肖特基二極管實(shí)際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極管的技術(shù)也已有了進(jìn)步,其反向偏壓的額定值最大可以到200V。
    肖特基二極管
    4.肖特基二極管和普通二極管的區(qū)別:
    肖特基二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降小,反向恢復(fù)時間短。肖特基二極管的開啟電壓低,電荷儲存效應(yīng)小,適于高頻工作。同樣的電流情況下,它的正向壓降要比普通二極管小許多。還具有損耗小、噪聲低、檢波靈敏度高、穩(wěn)定可靠等特點(diǎn),在微波通信和雷達(dá)中用于混頻、檢波、調(diào)制、倍頻以及超高速開關(guān)、低噪聲放大等。
    所以肖特基二極管與普通二極管最明顯的區(qū)別有以下幾點(diǎn):
    1、肖特基二極管正向?qū)▔航当绕胀ǘO管低,所以低功耗。
    2、肖特基二極管反向恢復(fù)時間比普通二極管短,所以工作頻率更高。
    3、肖特基二極管反向耐壓比普通二極管低,一般低于200V。
    4、肖特基二極管比普通的二極管通過的電流強(qiáng)。
    5、肖特基二極管比普通二極管的結(jié)電容小。
    6、肖特基二極管可以通過高頻電流。
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