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  • MOS管知識-MOS集成電路的檢測注意事項(xiàng)介紹
    • 發(fā)布時間:2020-11-09 18:14:32
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    MOS管知識-MOS集成電路的檢測注意事項(xiàng)介紹
    MOS集成電路的檢測注意事項(xiàng)
    (1)MOS集成電路檢測的一般注意事項(xiàng)以往在購進(jìn)晶體管,二極管等元件時,要判斷這些元件是否能用于相應(yīng)的電路。同樣,集成電路出現(xiàn)后,則應(yīng)判斷是否能用這些集成電路構(gòu)成系統(tǒng)。因此,作為購物基準(zhǔn)的檢測規(guī)格,與分立元件的情形相比要重要得多。
    MOS集成電路檢測,使用集成電路的周圍條件,例如電源電壓、環(huán)境溫度、負(fù)載條件等是變化的。這些條件之一或?qū)⑦@些條件組合起來處于最壞的狀態(tài),稱為最壞條件。
    圖3.146以電源電壓為例,給出最壞條件。對標(biāo)稱電壓為-24V的數(shù)字集成電路而言,當(dāng)電源電壓高于標(biāo)稱電壓+10%達(dá)到-26.4V以上時,導(dǎo)通電壓要降低;當(dāng)?shù)陀跇?biāo)稱電壓-10%降至21.6V以下時,截止電壓要降低。這兩種狀態(tài)都不能驅(qū)動次級,于是集成電路的工作停止。
    當(dāng)電源電壓在-30V以上時,將超過漏-襯底P-N結(jié)的耐壓;電源為+0.3V以上的正電壓時,P-N結(jié)處于正向,流過過量的正向電流。這兩種情形均會使集成電路受到破壞。最好在將壽命終止點(diǎn)也考慮進(jìn)去的最壞條件下進(jìn)行檢測,但一般多在初始值的最壞條件下進(jìn)行檢測。
    MOS集成電路的檢測
    檢測MOS數(shù)字集成電路時所用的主要術(shù)語如下。
    真值表
    數(shù)字集成電路用1和0表示脈沖信號的有無。用1和0兩個數(shù)字表示輸入和輸出之間的關(guān)系叫做真值表。(參見表3.22)
    MOS集成電路的檢測
    邏輯電平
    一般用高電平為“1”,低電平為“0”的電壓表示的邏輯,稱為正邏輯;“ 1”和“0”對調(diào)一下的邏輯稱為負(fù)邏輯。
    邏輯擺幅
    是“1”和“0”電平間的擺幅。MOS集成電路的擺幅很大。
    閾值
    對應(yīng)于邏輯擺幅為10%和90%的點(diǎn)的輸入電壓,分別稱為“1”和“0”閾值。
    過渡幅度
    閾值 “0”和“1”的幅度電壓。簡易噪聲容限即使在前級的輸出與次級的輸入之間因某些原因加進(jìn)噪聲,仍然能完全驅(qū)動次級輸入的范圍,稱為噪聲容限。闞值與典型值之差稱為簡易噪聲容限。MOS集成電路的噪聲容限很大。圖3.147中給出“ 與”門電路HD3106P的電壓傳輸特性。
    MOS集成電路的檢測
    扇出
    是指可能與集成電路的輸出端連接的外部集成電路數(shù)目。MOS集成電路不受直流的限制,但由于后續(xù)集成電路的輸入電容的關(guān)系,驅(qū)動集成電路的負(fù)載電容增加,開關(guān)速度,于是受到這方面的制約。
    脈沖特性
    圖3.148給出脈沖寬度、邏輯電平、上升時間、下降時間、上升延時、下降延時等的定義。
    檢測MOS集成電路時,除測量端點(diǎn)外,必須接地或加一定的負(fù)偏壓,不得開路。必須對全部端點(diǎn)進(jìn)行直流測量,并且進(jìn)行功能試驗(yàn)和檢查其動態(tài)特性。
    MOS集成電路的檢測
    (2)MOS集成電路的檢測
    關(guān)于MOS集成電路的測量方法,門電路以HD3106P為例、程序電路以HD3101為例進(jìn)行說明。表3.23給出電特性和電路功能。
    MOS集成電路的檢測
    MOS集成電路的檢測
    直流特性( HD3106P )
    全部端點(diǎn)的耐壓:測量耐壓的額定值。為防止測量時元件受到破壞,應(yīng)如圖3.149所示,加額定電壓( -30V )測量漏泄電流。要對全部端點(diǎn)進(jìn)行測量。測量電源端和輸入端時,其它端點(diǎn)要接地。測量輸出端時,在一個柵上加一14V電壓,使輸出截止而測量其耐壓。除測量端點(diǎn)外,其它端點(diǎn)絕對不得開路。全部端點(diǎn)漏泄電流:全部端點(diǎn)加最壞條件的電源電壓,測量其漏泄電流。
    MOS集成電路的檢測
    傳輸特性:在電源電壓、輸入電平、環(huán)境溫度、負(fù)載條件等的最壞條件的組合情況下,保證有足夠的輸出電平(參見圖3.150)。
    MOS集成電路的檢測
    功耗:全部輸入端完全處于導(dǎo)通狀態(tài)時,測量由電源流入的電流。
    開關(guān)特性(HD3106P)
    輸入電容:是在零偏壓下測得的柵輸入電容。前級的扇出與輸入電容有關(guān),受輸入電容的制約。
    傳輸延時:負(fù)載電阻和負(fù)載電容對其有顯著影響。若負(fù)載電阻和負(fù)載電容增加,負(fù)載的充電時間就加長,使上升延時顯著增加。放電時間只與負(fù)載電容有關(guān),僅稍有增加。(參見圖3.151)
    MOS集成電路的檢測
    動態(tài)特性( HD3101)
    時鐘頻率:對以時鐘脈沖為定時脈沖的集成電路而言,時鐘頻率的工作范圍變得極為重要。如時鐘脈沖的重復(fù)頻率降低,則保持于柵上的信號通過前級漏的漏泄電阻而放電。隨著溫度的升高,會顯著提高最低工作頻率。HD3101在75℃下時鐘2的最低工作頻率為5kHz,時鐘1從其電路結(jié)構(gòu)來看可工作至直流。
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