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  • MOS場效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項(xiàng)
    • 發(fā)布時間:2020-11-18 17:16:07
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    MOS場效應(yīng)管判斷好壞與判斷注意事項(xiàng)
    MOS場效應(yīng)管如何判斷好壞
    (一)結(jié)型場效應(yīng)晶體管的檢測
    1.判別電極與管型
    用萬用表R×100檔或R×1k檔,用黑表筆任接一個電極,用紅表筆依次觸碰另外兩個電極。若測出某一電極與另外兩個電極的阻值均很大(無窮大)或阻值均較?。◣装贇W姆至一千歐姆),則可判斷黑表筆接的是柵極G,另外兩個電極分別是源S和漏極D。
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞,在兩個阻值均為高阻值的一次測量中,被測管為P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管;在兩個阻值均為低阻值的一次測量中,被測管為N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管。也可以任意測量結(jié)型場效應(yīng)晶體管任意兩個電極之間的正、反向電阻值。若測出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等,且為幾千歐姆,則這兩個電極分別為漏極D和源極S,另一個電極為柵極G。結(jié)型場效應(yīng)晶體管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上具有對稱性,可以互換使用。若測得場效應(yīng)晶體管某兩極之間的正、反向電阻值為0或?yàn)闊o窮大,則說明該管已擊穿或已開路損壞。
    2.檢測其放大能力
    用萬用表R×100檔,紅表筆接場效應(yīng)管的源極S,黑表筆接其漏極D,測出漏、源極之間的電阻值RSD后,再用手捏信柵極G,萬用表指針會向左或右擺動(多數(shù)場效應(yīng)管的RSD會增大,表針向左擺動;少數(shù)場效應(yīng)管的RSD會減小,表針向右擺動)。只要表針有較大幅度的擺動,即說明被測管有較大的放大能力。
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞
    (二)雙柵場效應(yīng)晶體管的檢測
    1.電極的判別
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞,大多數(shù)雙柵場效應(yīng)晶體管的管腳位置排列順序是相同的,即從場效應(yīng)晶體管的底部(管體的背面)看,按逆時針方向依次為漏極D、源極S、柵極G1和柵極G2。因此,只要用萬用表測出漏極D和源極S,即可找出兩個柵極。
    檢測時,可將萬用表置于R×100檔,用兩表筆分別測任意兩引腳之間的正、反向電阻值。當(dāng)測出某兩腳之間的正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆(其余各引腳之間的電阻值均為無窮大),這兩個電極便是漏極D和源極S,另兩個電極為柵極G1和柵極G2。
    2.估測放大能力
    用萬用表R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,在測量漏極D與源極S之間的電阻值RSD的同時,用手指捏住兩個柵極,加入人體感應(yīng)信號。若加入人體感應(yīng)信號后,RSD的阻值由大變小,則說明該管有一定有放大能力。萬用表指針向右擺越大,說明其放大能力越強(qiáng)。
    3.判斷其好壞
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞,用萬用表R×10檔或R×100檔,測量場效應(yīng)晶體管源極S和漏極D之間的電阻值。正常時,正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆。且黑表筆接漏極D、紅表筆接源極S時測得的電阻值較黑表筆接源極S、紅表筆接D時測得的電阻值要略大一些。若測得D、S極之間的電阻值為0或?yàn)闊o窮大,則說明該管已擊穿損壞或已開路損壞。用萬用表R×10k檔,測量其余各引腳(D、S之間除外)的電阻值。正常時,柵極G1與G2、G1與D、G1與S、G2與D、G2與S之間的電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得阻值不正常,則說明該管性能變差或已損壞。
    如何快速判斷其好壞及引腳功能
    1.用10K檔,內(nèi)有15伏電池??商峁?dǎo)通電壓。
    2.因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管。
    3.利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時需短路管腳或反充。
    4.大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。
    5.大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。
    以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。如果對新拿到的不明MOS管,可以通過測定來判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。
    管腳測定方法:
    ①柵極G的測定:用萬用表R&TImes;100檔,測任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。
    ②漏極D、源極S及類型判定:用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測反向電阻時,紅表筆不動,黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:
    a.若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。
    b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動,改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。
    MOS場效應(yīng)管判斷好壞
    怎么判斷場效應(yīng)管好壞的注意事項(xiàng)
    (1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應(yīng)交換表筆的位置。
    (2)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。
    (3)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其最高工作頻率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。
    (4)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達(dá)到30W。
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