從廣義的講，IGBT也是三極管，是一種特殊的三極管。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)的文件建議，其各部分名稱(chēng)基本沿用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的相應(yīng)命名。 其相當(dāng)于相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)GTR ， Rdr是厚基區(qū)GTR的擴(kuò)展電阻。IGBT是以GTR 為主導(dǎo)件、MOSFET 為驅(qū)動(dòng)件的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
IGBT與三極管的關(guān)系看其結(jié)構(gòu)圖就一目了然了，IGBT結(jié)構(gòu)圖如下
IGBT結(jié)構(gòu)圖
IGBT結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于MOSFET ，其不同點(diǎn)在于IGBT 是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個(gè)P+ 基板（IGBT 的集電極），形成 PN 結(jié)j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與 MOSFET 相似。 N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。 N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的 P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。
為了兼顧長(zhǎng)期以來(lái)人們的習(xí)慣， IEC 規(guī)定：源極引出的電極端子（含電極端）稱(chēng)為發(fā)射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱(chēng)為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術(shù)語(yǔ)了。但僅此而已。
IGBT管與三極管電路符號(hào)如下：
N溝道IGBT等效電路與電氣符號(hào)
集中結(jié)構(gòu)的三極管電路符號(hào)
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