電子元器件市場(chǎng)中，以場(chǎng)效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛(ài)，可是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、耗散功率PDSM和漏源電流IDSM。
（1）飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。
（2）夾斷電壓
夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。
（3）開啟電壓
開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。
（4）跨導(dǎo)
跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大才能的重要參數(shù)。
（5）漏源擊穿電壓
漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作所能接受的漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的工作電壓必需小于BUDS。
（6）耗散功率
耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能不變壞時(shí)所允許的漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。
（7）漏源電流
漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的電流。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。
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