4N65場效應(yīng)管參數(shù),4N65參數(shù)規(guī)格書代換
4N65場效應(yīng)管,4A 650V,4N65參數(shù)資料,4N65引腳圖,4N65中文資料規(guī)格書PDF
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4N65/TO-220F參數(shù)封裝:點(diǎn)擊查看
4N65封裝有TO-220/TO-220F/TO-252
4N65場效應(yīng)管參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：650V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：4A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：2.7A
Power Dissipation 功率損耗Pd：50W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=2.0A,VGS=10V：2.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
4N65場效應(yīng)管/TO-220封裝尺寸：
4N65場效應(yīng)管/TO-220F封裝尺寸：
4N65場效應(yīng)管/TO-252封裝尺寸：
聯(lián)系號(hào)碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280
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