MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上外殼，就是MOS管封裝。不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類(lèi)電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，在電路中起到的作用也會(huì)不一樣；封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。
MOS管封裝分類(lèi)
按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類(lèi)：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。
表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線(xiàn)芯片載體(PLCC)等。
d2pak封裝尺寸
TO-252(又稱(chēng)之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱;所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極(D)焊盤(pán)較大。
TO-263是TO-220的一個(gè)變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì)，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。 除了D2PAK(TO-263AB)之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。
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