1、對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2、若對中小型功率電源(50W到500W)且有一定的效率設計要求則需要開通電阻Rg(on)和關(guān)斷電阻Rg(off)分開一般采用以下兩種方式設計。
這一種設計方式Rg(on)=Rg1+Rg2，Rg(off)=Rg1。
這種設計方式將Rg(on)和Rg(off)分開便于調(diào)整。
3、對于中等功率的電源(300W到1500K)對于MOS管的驅(qū)動設計不僅需要開通電阻和關(guān)斷電阻分開，還需要對驅(qū)動米勒平臺進行處理。一般簡單的處理方式會在MOS管的GS之間增加一組RC電路，通過調(diào)整RC參數(shù)來調(diào)整MOS管米勒平臺內(nèi)振蕩的問題。設計方式如下。
參數(shù)設計需根據(jù)設計電路和MOS管的選型最終調(diào)試決定。
4、對于中等偏上功率乃至大功率的電源(1200W到5KW甚至到10KW)對MOS管的驅(qū)動設計就顯得尤為重要了。此時的驅(qū)動設計跟很多方面都有相當大的關(guān)系，包括MOS管的選型，不同廠商的寄生參數(shù)差異，功率走線的設計，驅(qū)動器的選型與設計，驅(qū)動回路的設計等等。一般在MOS管驅(qū)動設計上有以下幾種設計思路。其主要目的在于在MOS管的GS之間抑制振蕩和減小回路。設計方式如下。
利用三極管在驅(qū)動關(guān)斷時直接將G級拉到S級。
減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強了驅(qū)動抗干擾能力。
利用NMOS在驅(qū)動關(guān)斷時直接將G級拉到S級。
減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強了驅(qū)動抗干擾能力。
利用三極管在驅(qū)動關(guān)斷時直接將G級拉到S級。
減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強了驅(qū)動抗干擾能力。
同時在GS電阻上串聯(lián)二極管，進一步增強了驅(qū)動線路的抗干擾能力。
5、在驅(qū)動器的設計上也是一樣，必須減小甚至避免功率回路干擾，另外則是在驅(qū)動器驅(qū)動信號的輸入源頭進行信號的處理避免干擾信號耦合到真實信號中。具體設計方式如下。
采用圖騰柱的方式作為驅(qū)動器，此方式成本低適合中小功率和對成本要求較苛刻的產(chǎn)品。
采用驅(qū)動IC作為驅(qū)動器來驅(qū)動MOS或者驅(qū)動變壓器，此方式適合功率較大且驅(qū)動線路較長的設計。信號的輸入端增加下拉電阻和RC濾波，對驅(qū)動IC輸入信號進一步處理保證信號干凈和增強抗干擾能力。
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