一.MOS管并聯(lián)的問題以及解決方案
對于NMOS而言，我們在G極施加正電壓，會吸引負電荷從而形成導通溝道，從MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出由于G和S以及D之間存在絕緣層，從而會產(chǎn)生寄生電容的問題。
當我們在開關電機這種感性負載時，當感性負載兩端的壓降降低后，GD之間寄生電容的存在會導致流經(jīng)柵極電阻的電流增大，并且在dv/dt較大時，干擾會通過GD在柵極形成較大的干擾電壓，可能會使得MOS管誤導通。而GS之間的寄生電容的存在則會導致驅(qū)動波形變得畸形，MOS管的開關產(chǎn)生延時。
通過下圖能明顯看出從驅(qū)動器出來的方波驅(qū)動波形倒是MOS管柵極后就變了樣，所以問題就來了，一個MOS的柵極電容可能不算什么，但是當你把幾個MOS并聯(lián)起來后你會發(fā)現(xiàn)這個時候的柵極電容已經(jīng)足夠大了，你完全不能忽略他了，所以你一定要測一下柵極的驅(qū)動波形，看看是不是已經(jīng)畸變的不成樣子了。或者你也可以在設計之前先評估一下由于寄生電容導致的波形上升時間，我們可以在規(guī)格書中找到MOS的柵極寄生電容C,如果你的4個MOS并聯(lián)在一起，那總電容約等于4*C,如果柵極串聯(lián)的電阻是100R，那么時間常數(shù)就是4*C*100，一般3-5RC可以完成電容的充電，所以驅(qū)動波形上升時間大概是3*4*C*100。
知道了問題所在，接下來就談談怎么解決問題,寄生電容是MOS的固有特性，只要不換MOS型號，那么我們是沒法減小MOS的寄生電容容值的，所以我們只能從減小柵極電阻R出發(fā)，把所有柵極連在一起，只用一個柵極電阻，給電阻并聯(lián)一個二極管，這樣MOS關斷時由于二極管導通，電阻相當于被二極管短路，可以加速MOS關斷?；蛘哌x用驅(qū)動能力比較強的驅(qū)動IC也能改善此問題。
二.總結(jié)
MOS管并聯(lián)的應用，大家一定要注意驅(qū)動波形畸變的問題，特別是在PWM模式下工作時，驅(qū)動頻率高的話可能會出問題，這些都是需要我們在前期設計就要考慮。
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