功率場效應管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應管原理：
半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣的同事可以查閱。
實際上，功率場效應管也分結型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。
它又分為N溝道、P溝道兩種。器件符號如下：
N溝道 P溝道
圖1-3：MOSFET的圖形符號
MOS器件的電極分別為柵極G、漏極D、源極S。
和普通MOS管一樣，它也有：
耗盡型：柵極電壓為零時，即存在導電溝道。無論VGS正負都起控制作用。
增強型：需要正偏置柵極電壓，才生成導電溝道。達到飽和前，VGS正偏越大，IDS越大。
一般使用的功率MOSFET多數是N溝道增強型。而且不同于一般小功率MOS管的橫向導電結構，使用了垂直導電結構，從而提高了耐壓、電流能力，因此又叫VMOSFET。
二．功率場效應管的特點：
這種器件的特點是輸入絕緣電阻大（1萬兆歐以上），柵極電流基本為零。
驅動功率小，速度高，安全工作區(qū)寬。但高壓時，導通電阻與電壓的平方成正比，因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難。
適合低壓100V以下，是比較理想的器件。
目前的研制水平在1000V/65A左右（參考）。
其速度可以達到幾百KHz，使用諧振技術可以達到兆級。
三．功率場效應管的參數與器件特性：
無載流子注入，速度取決于器件的電容充放電時間，與工作溫度關系不大，故熱穩(wěn)定性好。
（1） 轉移特性：
ID隨UGS變化的曲線，成為轉移特性。從下圖可以看到，隨著UGS的上升，跨導將越來越高。
圖1-4：MOSFET的轉移特性
（2） 輸出特性（漏極特性）：
輸出特性反應了漏極電流隨VDS變化的規(guī)律。
這個特性和VGS又有關聯。下圖反映了這種規(guī)律。
圖中，爬坡段是非飽和區(qū)，水平段為飽和區(qū)，靠近橫軸附近為截止區(qū)，這點和GTR有區(qū)別。
圖1-5：MOSFET的輸出特性
VGS=0時的飽和電流稱為飽和漏電流IDSS。
（3）通態(tài)電阻Ron：
通態(tài)電阻是器件的一個重要參數，決定了電路輸出電壓幅度和損耗。
該參數隨溫度上升線性增加。而且VGS增加，通態(tài)電阻減小。
（4）跨導：
MOSFET的增益特性稱為跨導。定義為：
Gfs=ΔID/ΔVGS
顯然，這個數值越大越好，它反映了管子的柵極控制能力。
（5）柵極閾值電壓
柵極閾值電壓VGS是指開始有規(guī)定的漏極電流（1mA）時的最低柵極電壓。它具有負溫度系數，結溫每增加45度，閾值電壓下降10%。
（6）電容
MOSFET的一個明顯特點是三個極間存在比較明顯的寄生電容，這些電容對開關速度有一定影響。偏置電壓高時，電容效應也加大，因此對高壓電子系統會有一定影響。
有些資料給出柵極電荷特性圖，可以用于估算電容的影響。以柵源極為例，其特性如下：
可以看到：器件開通延遲時間內，電荷積聚較慢。隨著電壓增加，電荷快速上升，對應著管子開通時間。最后，當電壓增加到一定程度后，電荷增加再次變慢，此時管子已經導通。
圖1-6：柵極電荷特性
（8）正向偏置安全工作區(qū)及主要參數
MOSFET和雙極型晶體管一樣，也有它的安全工作區(qū)。不同的是，它的安全工作區(qū)是由四根線圍成的。
最大漏極電流IDM：這個參數反應了器件的電流驅動能力。
最大漏源極電壓VDSM：它由器件的反向擊穿電壓決定。
最大漏極功耗PDM：它由管子允許的溫升決定。
漏源通態(tài)電阻Ron：這是MOSFET必須考慮的一個參數，通態(tài)電阻過高，會影響輸出效率，增加損耗。所以，要根據使用要求加以限制。
圖1-7：正向偏置安全工作區(qū)
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