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  • 三極管與MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路介紹
    • 發(fā)布時間:2024-09-11 20:18:55
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    三極管與MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路介紹
    分享一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路,關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見下文說明。
    三級管和場效應(yīng)管驅(qū)動電路設(shè)計及使用
    開關(guān)控制電路,MCU控制三極管,然后再控制MOS管,如下圖所示:
    三極管MOS管開關(guān)控制電路
    電路解析:
    當I/O為高電平時,三極管導通,MOS管柵極被拉低,1.8V電源導通;
    當I/O為低電平時,三極管不導通,MOS管不導通,1.8V電源不導通。
    為什么要這樣做呢?
    這個和三極管和MOS的特性有很大關(guān)系:三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化;MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。
    三極管的基極驅(qū)動電壓只要高于Ube的死區(qū)電壓即可控制三極管導通,硅材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.6V,鍺材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.3V,所以控制三極管的電壓對于硅材料的三極管來說只要高于0.6V左右即可,而對于鍺材料的三極管來說只要高于0.3V左右即可。所以MCU先連接控制三極管。
    而MOS管就不一樣了,MOS管是電壓型驅(qū)動,其驅(qū)動電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導通,不同型號的MOS管其導通的Ugs最小值是不同的,一般為3V~5V左右,最小的也要2.5V,但這也只是剛剛導通,其電流很小,還處于放大區(qū)的起始階段,一般MOS管達到飽和時的驅(qū)動電壓需6V~10V左右。
    一般MCU IO輸出電壓為3.3V,很可能無法打開MOS管,所以MCU不直接連接控制MOS管。
    而且三極管帶負載的能力沒有MOS管強,所以MCU控制三極管,然后再控制MOS管來控制負載設(shè)備。
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