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常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹
2022-03-24
常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析本文介紹了幾種常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，分析了各電路的優(yōu)點(diǎn)和適
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MOS管電路加反向電壓導(dǎo)通原因詳解
2022-03-24
MOS管電路加反向電壓導(dǎo)通原因詳解我們?cè)贛OS管廠家提供的datasheet中看到的功率MOSFET的原理圖符號(hào)都會(huì)包括一個(gè)寄生器件——體二極管。體二
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MOSFET開關(guān)使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)分析
2022-03-24
MOSFET開關(guān)使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)分析米勒電容如何限制高頻放大以米勒效應(yīng)為例。在20世紀(jì)20年代，美國(guó)電子工程師約翰·彌爾頓·米勒...
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直流電源,設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源圖解
2022-03-23
直流電源,設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源圖解電池測(cè)試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測(cè)試等測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化
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運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器datasheet參數(shù)中文詳解
2022-03-23
運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器datasheet參數(shù)中文詳解集成運(yùn)放的參數(shù)較多，其中主要參數(shù)分為直流指標(biāo)和交流指標(biāo)，外加所有芯片都有極限參數(shù)。下面分
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電源電路詳解-降壓電路(DC DC）
2022-03-23
電源電路詳解-降壓電路(DC DC）降壓電路DC to DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC
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介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
2022-03-22
介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)值?；旧瞎β室驍?shù)可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率因數(shù)值越大，代表其電力利用率越高
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介紹幾種一鍵開關(guān)機(jī)電路方案詳解
2022-03-22
介紹幾種一鍵開關(guān)機(jī)電路方案詳解方案一一鍵開關(guān)機(jī)電路分析如下：電路工作流程如下：A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8 9V左右
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N溝道,P溝道MOSFET開關(guān)電路圖介紹
2022-03-22
N溝道,P溝道MOSFET開關(guān)電路圖介紹NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬氧化物半導(dǎo)體）。在一塊摻雜濃度較低的P型硅
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氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹
2022-03-21
氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位
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SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測(cè)電路圖文分析
2022-03-21
SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測(cè)電路圖文分析碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用）中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備
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驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹
2022-03-21
驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅(qū)動(dòng)功率M